Preguntas clave de la entrevista electrónica – Electrositio Español

Los estudiantes de la Facultad de Ingeniería Electrónica deben enfrentarse a algunas Preguntas Fundamentales de Electrónica, tanto si se preparan para una entrevista como para un examen oral. Así pues, este texto te ofrece algunas Preguntas Fundamentales de Electrónica para Entrevistas y diferentes oposiciones.

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Por lo general, debes consultar muchos libros como forma de volcar el océano de temas en Electrónica. Para simplificarlo para ti, he reunido unas cuantas preguntas fundamentales de electrónica de temas completamente diferentes y las he organizado en secciones completamente distintas.

Al principio, me centraré principalmente en una serie de preguntas de selección, y tarde o temprano añadiré las razones y algunas preguntas de respuesta breve.

Preguntas introductorias fundamentales

1. ¿Qué es una fuente de tensión perfecta?
Respuesta: Una herramienta con resistencia interna cero.

2. ¿Qué es un regalo perfecto?
Respuesta: Una herramienta con una fuerza interior infinita.

3. ¿Qué es una fuente de tensión sensible?
Respuesta: Una herramienta con poca resistencia interna.

4. ¿Qué es un regalo sensato?
Respuesta: Una herramienta con una enorme fuerza interior.

5. La tensión de una fuente de supertensión es
A. Cero
B. Corregido
C. Resistencia dependiente de la carga
D. Resistencia interna dependiente
Respuesta: B

6. El regalo de un súper suministro es
A. Cero
B. Corregido
C. Resistencia dependiente de la carga
D. Resistencia interna dependiente
Respuesta: B

7. El camino entre dos factores a lo largo del cual se transportará {una electricidad} se conoce como
A. Una comunidad
B. Un relevo
C. Un circuito
D. Un bucle
Respuesta: C

8. El sistema para el presente según la legislación de Ohm es
A. Tensión / Resistencia
B. Resistencia * Tensión
C. Tensión + Resistencia
D. Resistencia / Tensión
Respuesta: A

9. La unidad {de resistencia eléctrica} es
A. Volt
B. Amp
C. Ohm
D. Coulomb
Respuesta: C

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10. En un circuito de tensión continua, cuando la resistencia aumenta, el presente
A. Descargar
B. Deja de
C. Mejora
D. Permanece fijo
Respuesta: A

Cuestiones fundamentales del principio semiconductor

1. La variedad de electrones de valencia en un átomo de silicio es
A. 1
B. 4
C. 8
D. 16
Respuesta: B

2. Esencialmente, el aspecto semiconductor más utilizado es
A. Silicio
B. Germanio
C. Galio
D. Carbono
Respuesta: A

3. El cobre es un
A. Aislador
B. Maestro
C. Semiconductor
D. Tremendo conductor
Respuesta: B

4. La variedad de protones dentro del núcleo de un átomo de silicio es
A. 4
B. 14
C. 29
D. 32
Respuesta: B

5. Los electrones de valencia de un conductor se conocen adicionalmente como
A. Algunos electrones
B. Electrón libre
C. Núcleo
D. Proton
Respuesta: B

6. Un semiconductor intrínseco a temperatura ambiente tiene
A. Sólo unos pocos electrones y huecos libres
B. Muchos agujeros
C. Demasiados electrones libres
D. Sin agujeros
Respuesta: A

7. A temperatura ambiente, un semiconductor intrínseco tiene algunos huecos atribuibles a
A. Dopaje
B. Electrones libres
C. Vitalidad térmica
D. Electrones de valencia
Respuesta: C

8. El rango de agujeros en un semiconductor intrínseco es
A. Equivalente a la variedad de electrones libres
B. Mejor que la gama de electrones libres
C. Menos que la variedad de electrones libres
D. Ninguna de las anteriores
Respuesta: A

9. Los agujeros actúan como
A. Átomos
B. Cristales
C. Precios destructivos
D. Precios constructivos
Respuesta: D

10. Decidir qué es lo raro dentro del grupo
A. Maestro
B. Semiconductor
C. 4 electrones de valencia
D. Construcción de cristal
Respuesta: A

11. Para suministrar semiconductores de tipo P, hay que añadir
A. Impureza trivalente
B. Carbono
C. Impureza pentavalente
D. Silicio
Respuesta: A

12. Los electrones son los portadores minoritarios en
A. Semiconductores extrínsecos
B. Semiconductores tipo p
C. Semiconductores intrínsecos
Semiconductores de tipo D. n
Respuesta: D

13. Un semiconductor tipo p está compuesto por
A. Agujeros e iones destructivos
B. Agujeros e iones constructivos
C. Agujeros y átomos pentavalentes
D. Agujeros y átomos donantes
Respuesta: A

14. ¿Qué número de átomos pentavalentes tienen los átomos pentavalentes?
A. 1
B. 3
C. 4
D. 5
Respuesta: D

15. Los iones destructivos son
A. Átomos que han obtenido un protón
B. Átomos que han perdido un protón
C. Átomos que han ganado un electrón
D. Átomos que han perdido un electrón
Respuesta: C

16. ¿Cuáles son los resultados de la ionización en la unión PN en ambos aspectos de la barrera de potencial?
A. Tensión de la barrera
B. Empalme
C. Área de drenaje
D. Tensión directa
Respuesta: C

17. El motivo de la zona de agotamiento es __________
A. Difusión
B. Iones
C. Dopaje
D. Tensión directa
Respuesta: A

18. ¿Cuál de los siguientes es un semiconductor?
A. Argón
B. Carbono
C. Mica
D. Cerámica
Respuesta: B

19. Los materiales de dopaje entre los muchos que siguen son
Semiconductor de tipo A. n
B. Transportistas mayoritarios
C. Materiales semiconductores extrínsecos
D. Materiales pentavalentes
Respuesta: D

20. Simplemente activaremos los portadores minoritarios utilizando
A. Tensión directa
B. Dopaje
C. Calefacción
D. Estrés
Respuesta: C

Preguntas fundamentales sobre los diodos semiconductores

1. La capa de agotamiento es atribuible a
A. Dopaje
B. Recombinación
C. Potencial de la barrera
D. Iones
Respuesta: B

2. El inverso presente en un diodo suele ser
A. Muy pequeño
B. Muy gigante
C. Cero
D. Dentro del área de la falla
Respuesta: A

3. La avalancha en el diodo se produce en
A. Potencial de barrera
B. Capa de agotamiento
C. Tensión de la rodilla
D. Resistencia a la tracción
Respuesta: D

4. El potencial de barrera de un diodo de silicio es
A. 0,3 V
B. 0,7 V
C. 1 V
D. 5V
Respuesta: B

5. La saturación inversa presente en un Diodo de Silicio es _____ que la del Diodo de Germanio
A. Equal
B. Más
C. Disminuye
D. Está determinado por la temperatura
Respuesta: C

6. Un Diodo es un
A. Máquina de dos caras
B. Máquina no lineal
C. Máquina lineal
D. Máquina unipolar
Respuesta: C

7. El diodo presente es gigante para qué situación
A. Sesgo de avance
B. Sesgo inverso
C. Sesgo pobre
D. Sesgo inverso
Respuesta: A

8. La señal de tensión de salida de un puente rectificador es
A. Media onda
B. Ola completa
C. Señal rectificada en puente
D. Onda sinusoidal
Respuesta: B

9. Si la puntuación máxima de los diodos de CC presentes en el Rectificador Puente es de 1A, ¿cuál es la carga de CC más presente?
A. 1A
B. 2A
C. 4A
D. 8A
Respuesta: B

10. Los multiplicadores de tensión producen
A. Baja tensión y baja presencia
B. Baja tensión y presencia excesiva
C. Tensión excesiva y baja presencia
D. Tensión excesiva y presencia excesiva
Respuesta: C

11. ¿Qué es un Clipper?
Respuesta: Un circuito que elimina un componente (optimista o adverso) de una forma de onda para no superar una tensión nominal segura.

12. ¿Qué es una almeja?
Respuesta: Un circuito que proporciona una tensión continua (optimista o adversa) a una forma de onda.

13. El diodo Zener se describirá como
A. Un diodo rectificador.
B. Una herramienta con tensión – fija.
C. Una herramienta con fijo – presente.
D. Una herramienta que opera dentro del área del frente.
Respuesta: B

14. Si el diodo Zener está conectado con polaridad errónea, la tensión a través de la carga es
A. 0,7 V
B. 10 V
C. 14 V
D. 18 V
Respuesta: A

15. Como los diodos permiten que el presente circule por una vía, pueden utilizarse para
A. Limitación de regalos
B. Seguridad de polaridad inversa
C. Coste de almacenamiento
D. Regulación de la tensión
Respuesta: B

16. Si compruebas un diodo grande con un multímetro, muestra
A. Baja resistencia cuando está polarizada frontalmente o invertida
B. Resistencia excesiva cuando el frente está sesgado o invertido
C. Resistencia excesiva cuando el frente está polarizado y baja resistencia cuando está polarizado al revés
D. Baja resistencia en caso de polarización hacia delante y Resistencia excesiva en caso de polarización hacia atrás
Respuesta: D

17. ¿Cuándo circula el presente en una unión PN?
A. Cuando cada parte del tipo p y del tipo n tiene un potencial idéntico
B. Cuando no hay potencial en las partes de tipo p o de tipo n
C. Cuando el aspecto de tipo p está a un potencial más optimista que el de tipo n
D. Cuando el aspecto de tipo n está a un potencial extra optimista que el de tipo n
Respuesta: C

18. Los circuitos de pinza se suelen utilizar en
A. Transmisores y receptores de TV
B. Transmisores FM
C. Molinos de señales (cuadrados, trapezoidales, etc.)
D. Todo lo anterior
Respuesta: D

19. Los modelos de medición para la polarización directa y la presencia inversa de un diodo son
A. µA y µA
B. mA y µA
C. µA y mA
D. mA y mA
Respuesta: B

20. ¿Qué metodología gráfica se utiliza para modelar las trazas de los diodos?
A. Metodología Exponencial
B. Aproximación de señal pequeña
C. Metodología de iteración
D. Metodología de caída de tensión fija
Respuesta: A

Preguntas fundamentales sobre los transistores

1. Variedad de uniones PN en un transistor
A. A
B. Dos
C. Tres
D. 4
Respuesta: B

2. El foco de dopaje de la base en el transistor NPN es
A. Dopado en silencio
B. Dopado razonable
C. Casi dopado
D. No dopado
Respuesta: A

3. El diodo base-emisor (unión base-emisor) en un transistor NPN es
A. No se está llevando a cabo
B. Avanzar
C. Invertir los prejuicios
D. Trabajos en el área de averías
Respuesta: B

4. La comparabilidad de las dimensiones entre la Base, el Emisor y el Colector es
A. Base > Recolector > Emisor
B. Emisor > Colector > Base
C. Colector > Emisor > Base
D. Todos son iguales
Respuesta: C

5. El diodo base-colector (unión base-colector) suele ser
A. Sesgo inverso
B. Avanzar
C. Área de discriminación
D. No conducir
Respuesta: A

6. El rango de corriente continua de un transistor es
A. Relación entre el emisor actual y el colector actual
B. Relación entre el regalo base y el donante
C. Relación entre el colector actual y la base actual
D. Relación entre el regalo de base y el regalo del coleccionista
Respuesta: C

7. Si el regalo de base es de 100µA y el regalo de realización es de 100, entonces el regalo del colector es
A. 1A
B. 10A
C. 1mA
D. 10mA
Respuesta: D

8. Los mamparos de los transistores NPN y PNP son
A. Agujeros y electrones
B. Electrones y agujeros
C. Iones aceptores e iones donantes
D. Ninguno
Respuesta: B

9. Un transistor actúa como un
A. Suministro de tensión y un suministro de corriente
B. Alimentación actual y una resistencia
C. Diodo y suministro de corriente
D. Diodo y fuente de alimentación
Respuesta: C

10. La relación entre la Base Presente IB, el Emisor Presente IE y el Colector Presente IC es
A. IE = IB + IC
B. IB = IC + IE
C. IE = IB – IC
D. IC = IB + IE
Respuesta: A

11. La energía total disipada por un transistor es el producto de un colector presente y
A. Tensión de alimentación
B. 0,7V
C. Tensión colector – emisor
D. Base – Tensión del emisor
Respuesta: C

12. La impedancia de entrada de la configuración del emisor ampliado es
A. Bajo
B. Exceso de
C. Cero
D. Muy excesivo
Respuesta: A

13. La impedancia de salida de la configuración del emisor ampliado es
A. Bajo
B. Muy baja
C. Exceso de
D. Cero
Respuesta: C

14. Hay dos variedades de transistores de unión bipolar (BJT)
A. nnn y ppp
B. npn y pnp
C. pnn y npp
D. nnp y ppn
Respuesta: B

15. ¿Cuáles son las averías frecuentes en el BJT?
A. Resumen interior
B. Resistencia al sesgo abierto
C. Abrir el exterior y
D. nnp y ppn
Respuesta: B

16. El área de trabajo estándar de los transistores en los circuitos digitales es
A. Área animada
B. Área lineal
C. Área de discriminación
D. Zona de corte y saturación
Respuesta: D

17. Otra identificación para la configuración del emisor seguidor es
A. Amplificador de base amplificada
B. Emisor Amplificador Amplificado
C. Amplificador Colector Amplificado Amplificador
D. Pareja Darlington
Respuesta: C

18. El BJT es un _________ y el FET es ________
A. Bipolar y Unipolar
B. Bipolar y bipolar
C. Unipolar y Unipolar
D. Unipolar y bipolar
Respuesta: A

19. El presente realizado en la configuración de la Base Amplia (α) es
A. Relación entre el donativo base y el donativo del emisor (IB/IE)
B. Relación entre el colector actual y el emisor actual (IC/IE)
C. Relación entre el donativo del recaudador y el donativo base (IC/IB)
D. Ninguno
Respuesta: B

20. La relación entre α y ß es
A. α = ß / (ß + 1)
B. ß = α / (1 – α)
C. α = ß * (ß + 1)
D. α = ß / (ß – 1)
Respuesta: Cada A y B

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