Distinción entre transistores BJT y FET

¿Cuáles son las principales variaciones entre los transistores BJT y FET?

Un transistor es un aparato semiconductor que se utiliza para la conmutación y la amplificación. El BJT y el FET son dos tipos diferentes de transistores. Aparte de ser transistores y de ser capaces de hacer conmutación además de amplificación, son completamente diferentes entre sí. Por ejemplo, el BJT es un aparato de corriente controlada, mientras que el FET es un aparato de tensión controlada. Hay diferentes variaciones entre el BJT y el FET.

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Antes de entrar en la lista de variaciones entre BJT y FET, hablemos de los fundamentos del BJT y del FET.

BJT (Transistor de unión bipolar)

BJT significa Transistor de Unión Bipolar. La mayoría de estos transistores son bipolares, lo que significa que el presente circula por dos tipos de portadores de coste, es decir, electrones y huecos. Hay dos tipos de BJT: el transistor NPN y el transistor PNP. Se utilizan para la conmutación además de la amplificación de una pequeña señal.

Un BJT es el producto de tres capas alternas de materiales semiconductores de tipo P y de tipo N. El NPN se hace intercalando la capa P entre dos capas N, mientras que el PNP se hace intercalando la capa N entre dos capas P. Como hay tres capas alternas, hay dos uniones PN en un transistor BJT, por lo que el identificador de transistor de unión

Los tres terminales de los transistores BJT se llaman Emisor, Base y Colector. Cada terminal está relacionado con cada capa del transistor. La capa inferior es la capa central, que es la más floreada y dopada de todas. El emisor y el colector están estrechamente dopados, con el emisor comparativamente más dopado que el colector.

Conectar la unión base-colector en la unión inversa y base-emisor en la unión frontal permite que el presente circule. En función del tipo de BJT, el presente que entra por el fondo permite un presente entre el colector y el emisor que es proporcional al fondo del presente. Posteriormente, el BJT suele conocerse como un dispositivo de regalo controlado por corriente.

El BJT puede funcionar en 3 zonas, es decir, zona energética, zona saturada y zona de corte. Dentro de la zona viva, actúa como un amplificador en el que el colector presente es proporcional al fondo presente. mientras que dentro de la zona saturada y de corte, actúa como un cambio para hacer o romper una conexión.

Debido a que la entrada (base) está polarizada, la impedancia de entrada de un BJT puede ser muy baja, dentro del rango de 1K ohmios, mientras que la impedancia de salida puede ser muy excesiva. En consecuencia, la adquisición del amplificador BJT puede ser muy excesiva en comparación con el FET.

Como el presente circula por los electrones además de los agujeros, el tiempo de restauración, es decir, el tiempo que tarda en apagarse y encenderse es gigantesco en comparación con el FET. Por lo tanto, el BJT tiene una baja velocidad de conmutación en comparación con el FET. El BJT no será apropiado para una frecuencia muy excesiva.

El BJT funciona si hay alguna base presente, es decir, si es gestionado por el presente que circula en su terminal base. Por lo tanto, consume vitalidad durante su funcionamiento. Como consecuencia de esto, el BJT consume energía extra que se desperdicia dentro del tipo de calor.

En consecuencia, el BJT se incendiará en poco tiempo y la temperatura repercute adicionalmente en su funcionamiento. Por esta razón, su temperatura debe ser regulada utilizando disipadores gigantes con vistas a su funcionamiento normal. El BJT depende de la temperatura

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FET (Transistor de Impacto de la Materia)

FET son las siglas en inglés de Transistor de Impacto de Sujeto. La circulación actual en el FET se debe a que sólo circula un tipo de proveedor de costes, es decir, tanto electrones como huecos. Posteriormente, el FET se suele conocer como transistor unipolar. Hay dos tipos de transistores FET, es decir, JFET (Junction FET) y MOSFET (Steel Oxide Semiconductor FET). Estos transistores se utilizan también para la conmutación y la amplificación en los circuitos digitales.

Los tres terminales del FET son Drenaje, Puerta y Alimentación. Basándose principalmente en su desarrollo, el FET es accesible en dos variedades, es decir, el FET con canal N o el FET con canal P. El canal se refiere a la vía de circulación del presente desde la alimentación hasta el terminal vacío. Los portadores entran en el canal a través de la alimentación y fallan en el desagüe. No hay una unión PN entre la alimentación y el desagüe. La zona del portal se fabrica con materiales alternativos a los del canal.

La Puerta se invierte para crear una zona de agotamiento, de modo que se modele el canal entre la escorrentía y el suministro. Lo que da lugar a la circulación del presente. El aumento de la tensión de polarización inversa en la puerta aumentará el área de agotamiento, lo que hace que el regalo circule. Posteriormente, la tensión en la puerta se utiliza para regular el regalo de salida. En consecuencia, el FET se conoce a menudo como un aparato presente controlado por tensión.

Hay poca o ninguna distinción entre el terminal de alimentación y el de drenaje. El terminal de drenaje tiene que estar relacionado con un voltaje extra optimista, en comparación con el terminal de alimentación. Posteriormente, se intercambian con frecuencia, es decir, el borne de drenaje y el de alimentación se intercambian, manteniendo la tensión extra optimista en el borne de drenaje.

El proveedor de costes a gran escala se reconoce por el tipo de FET que se utiliza. El FET de canal N utiliza electrones para el suministro de costes, mientras que el FET de canal P utiliza agujeros para el suministro de costes.

.El FET tiene 3 zonas: la zona energética, la saturada y la de corte. El FET actúa como un amplificador dentro de la zona viva, mientras que actúa como un interruptor dentro de las zonas saturadas y de corte.

Por la razón de que la entrada (compuerta) está sesgada, la impedancia de entrada del FET puede ser muy excesiva dentro del rango de 100M ohmios y por eso no hay presente circulando en el terminal de la compuerta. Y la impedancia de salida es baja. En consecuencia, el FET no tiene una adquisición realmente excesiva en comparación con el BJT.

Debido a que el FET aprovecha un solo tipo de proveedor de costes tanto de electrones como de huecos, su tiempo de restauración puede ser muy rápido. Por lo tanto, su velocidad de conmutación puede ser muy rápida y puede utilizarse para funciones de muy alta frecuencia.

El FET no tiene ningún presente que circule por su base o sea de vital importancia. En consecuencia, no hay consumo de vitalidad durante el funcionamiento. Por lo tanto, el FET consume muy poca energía y es respetuoso con el medio ambiente con un extra de vitalidad.

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Variaciones clave entre BJT y FET

La siguiente tabla de comparabilidad revela las principales variaciones entre los transistores BJT y FET.

BJT	FET
BJT significa Transistor de unión bipolar.	FET se encuentra Asunto Transistor de impacto.
El presente circula como resultado de la circulación de la mayoría además de los portadores de costes de la minoría.	El presente circula como resultado de la circulación de los portadores de costes mayoritarios.
El presente circula debido a cada uno de los electrones y agujeros, debido a este hecho se identifica el transistor bipolar.	El presente circula por los dos electrones o huecos, por lo que se denomina transistor unipolar.
Hay dos tipos de BJT: NPN y PNP.	Los 2 tipos de FET son el JFET y el MOSFET, cada uno con un canal N y un canal p, según corresponda.
El desarrollo del BJT es relativamente más sencillo.	El desarrollo del FET es relativamente problemático.
Los tres terminales se llaman emisor, base y colector.	Los tres terminales del FET son la puerta de alimentación y el drenaje.
Hay 2 uniones PN en el BJT.	No hay ninguna unión PN.
Es un aparato controlado por la corriente.	Es un aparato de corriente controlado por tensión.
La unión B-E tiene una polarización frontal y la unión B-C tiene una polarización inversa.	La tensión de puerta se invierte, mientras que la tensión de drenaje se mantiene más alta que la de alimentación.
El BJT tiene una polarización bastante sencilla.	El sesgo del FET sólo es ligeramente problemático.
El emisor y la base no se pueden intercambiar ni cambiar.	El desagüe y el suministro se intercambiarán porque el desagüe debe ser más optimista.
BJT tiene una adquisición realmente excesiva.	El FET tiene una adquisición relativamente baja.
La impedancia de entrada puede ser muy baja dentro del rango de 1K ohmios.	La impedancia de entrada puede ser demasiado excesiva dentro del rango de 100M ohmios.
La impedancia de salida puede ser demasiado excesiva y, por tanto, sobreadquirir.	La impedancia de salida puede ser demasiado baja, por lo que la adquisición es escasa.
Hay circulación presente en su terminal de base.	Tu terminal base tiene una presencia insignificante.
El BJT tiene un requisito de tensión de compensación.	El FET no necesita una tensión de compensación.
En función de la entrada presente, consume una cantidad excesiva de vitalidad de entrada en el funcionamiento regular.	Dependiendo de la tensión de entrada presente, consume mucha menos vitalidad en el funcionamiento regular.
El BJT devora el exceso de energía y, por tanto, no es respetuoso con el medio ambiente y la vitalidad.	El FET consume mucha menos energía y, por tanto, la vitalidad es respetuosa con el medio ambiente.
El BJT tiene una velocidad de conmutación relativamente baja.	El FET tiene un tipo de cambio relativamente muy excesivo.
El BJT genera ruido en el sistema.	El FET puede ser muy silencioso.
El BJT es más barato que el FET.	El BJT es más caro que el FET.
La escala del BJT es mayor que la del FET.	El FET tiene una medida más compacta y pequeña que el BJT.
El BJT tiene un coeficiente de temperatura destructivo.	El FET tiene un coeficiente de temperatura optimista.
Adecuado para la utilidad actual de baja entrada.	Adecuado para la baja tensión de entrada presente en el servicio público.

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Propiedades y rasgos del BJT & FET

Las siguientes propiedades completamente diferentes diferencian a cada FET y BJT que tienen rasgos y funciones completamente diferentes.

Edificio

• El BJT tiene un desarrollo bastante simple y sencillo producido a partir de capas semiconductoras alternas.
• Las capas de P o de N están intercaladas entre dos capas de N o de P, respectivamente.
• El FET sólo tiene un desarrollo algo complicado.
• El FET tiene un canal N o un canal P entre la puerta de la capa P o de la capa N, respectivamente.
• El canal se utiliza para la circulación de las compañías de coste mayoritario.

Uniones PN

• El transistor BJT tiene dos uniones PN entre su colector y su emisor.
• Una unión PN entre el Colector y la Base y la opuesta entre la Base y el Emisor.
• El transistor FET no tiene una unión PN entre su drenaje y su alimentación.

Coste del servicio

• BJT aprovecha cada tipo de soporte de costes para la circulación del regalo.
• A lo largo de su funcionamiento, los agujeros y los electrones circulan para impulsar los regalos.
• El FET aprovecha un solo tipo de proveedor de costes para que el presente circule.
• Ambos utilizan agujeros en el FET del canal P o electrones en el FET del canal N.

Variedades

• El BJT tiene dos variedades: PNP y NPN
• El FET tiene dos variedades principales: el JFET (FET de unión) y el MOSFET (FET semiconductor de óxido de acero)
• Cada tipo de FET se clasifica además en función del canal, es decir, canal N y canal P.

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Terminales

• Los tres terminales del BJT se llaman Colector, Base y Emisor.
• El emisor y el colector son productos de materiales idénticos, y el emisor tiene una tasa de dopaje excesiva.
• Los tres terminales del FET se llaman Drenaje, Puerta y Alimentación.
• El desagüe y la alimentación son los 2 extremos del canal fabricado del mismo tipo.

Entrada y salida

• El BJT es un gadget de gestión de regalos.
• Su entrada (en la base) es la que controla el colector de salida actual.
• El FET es un aparato controlado por tensión.
• Su entrada es una tensión o distinción de potencial (en la puerta) que controla la salida presente en la alimentación.

Impedancia de E/S

• El BJT funciona mediante una unión base-emisor (enter) en la polarización frontal.
• Por lo tanto, su impedancia de entrada es baja.
• Su impedancia de salida puede ser excesiva.
• El FET funciona a través de una puerta con polarización inversa.
• En consecuencia, su impedancia de entrada puede ser muy excesiva.
• Mientras que su impedancia de salida puede ser demasiado baja.

Aislamiento

• En el BJT, la entrada en el terminal de la base no se eliminará de la salida.
• En el FET, la entrada en el terminal de la compuerta está en polarización inversa y la entrada está alejada de la salida.

Sesgo

• En el BJT, la unión B-E está en polarización directa, mientras que la unión C-B está en polarización inversa.
• En el FET, la puerta está en polarización inversa, mientras que el drenaje está a una tensión más óptima que el colector.

Llega a

• El BJT tiene una adquisición muy excesiva debido a su excesiva impedancia de salida.
• El FET tiene una adquisición comparativamente menor debido a su baja impedancia de salida.

Conmutación de terminales

• En el BJT, los terminales no se pueden intercambiar.
• El emisor y el colector son terminales completamente diferentes.
• En el FET, el terminal de drenaje y el de alimentación se intercambian.
• El drenaje sería el terminal con una tensión extra optimista.

Consumo de energía

• El BJT toma presencia en su terminal base a lo largo de un funcionamiento estable.
• Posteriormente, consume vitalidad y agota la batería.
• El FET funciona bajo la premisa de la tensión de puerta.
• Por lo tanto, es respetuoso con el medio ambiente y no agota la batería.

Intercambio Pace

• Como el BJT utiliza la circulación de cada tipo de portador de costes, su tiempo de restauración es gradual.
• Posteriormente, su ritmo de cambio es gradual.
• El FET utiliza un solo tipo de proveedor de costes, con un tiempo de restauración rápido.
• Por lo tanto, el FET tiene una velocidad de conmutación muy rápida.

Ruido

• El BJT es ruidoso y genera ruido en el sistema. En consecuencia, no es adecuado para las técnicas digitales delicadas.
• El FET es algo silencioso y es ideal para sistemas delicados.

Valor

• El BJT, al tener un desarrollo bastante sencillo, puede tener un coste de fabricación muy bajo.
• El FET, al tener un desarrollo complicado, es relativamente más caro.

Midiendo

• La escala del BJT es gigantesca. Posteriormente, el producto del circuito BJT es más voluminoso.
• El FET es más compacto y de menor tamaño. Adecuado para circuitos compactos y pequeños.

Software

• El BJT se utiliza para la amplificación de un regalo realmente pequeño con una frecuencia media.
• Sin embargo, también hay que pensar en el consumo de la instalación y en la medición del circuito.
• El FET es muy apreciado para las alertas de pequeña tensión con una frecuencia realmente excesiva.
• Aunque son caros y tendenciosos es un poco problemático.

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