Distinción entre transistor NPN y PNP

¿Cuáles son las variaciones preliminares entre el transistor NPN y PNP?

Los transistores son esencialmente el elemento más utilizado en los aparatos digitales. Los transistores se dividen principalmente en dos subtipos: el transistor de unión bipolar (BJT) y el transistor de impacto (FET). Los BJT se dividen además en dos variedades basadas principalmente en su construcción, a menudo llamadas transistores NPN y PNP.

Antes de entrar en las variaciones entre NPN y PNP, vamos a aclarar los fundamentos del transistor.

Un transistor BJT se forma mezclando capas alternas de materiales semiconductores de tipo P y N. Hay dos mezclas posibles. Es si ambos materiales de tipo N se intercalan entre dos materiales de tipo P para formar un transistor PNP o si los materiales de tipo P se intercalan entre dos materiales de tipo N para formar un transistor NPN

Aquí se enumeran los Pinouts de los transistores BC-547 NPN y BC-557 PNP respectivamente.

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Transistor NPN

Una Transistor NPN se forma mezclando dos materiales de la especie N y uno de la especie P. El lugar en el que los materiales de la especie P se intercalan entre estos dos materiales de la especie N. La región central P es la capa más fina de todas, que también se llama Base. Una de las muchas regiones de N, que es la capa más gruesa de todas, está sin embargo uniformemente dopada, conocida como colector, mientras que la región de N opuesta es la comparativamente más fina, sin embargo dopada, en comparación con el colector, conocida como emisor.

Los tres terminales Colector, Base y Emisor surgen de materiales de tipo N, P y N respectivamente. El Colector y el Emisor tienen electrones como portadores de coste mayoritario, mientras que la Base tiene agujeros como portadores de coste mayoritario. Al contrario, el Colector y el Emisor tienen agujeros como servicio de coste minoritario, mientras que el Inferior tiene electrones como portadores de coste minoritario.

El fondo es una capa delgada de tipo P con la gran mayoría de agujeros. Si se utiliza una tensión optimista respecto al emisor, los electrones serán empujados hacia el fondo (región p). Al ser delgada y estar uniformemente dopada, los electrones se mezclan con los huecos, lo que provoca una penetración en la zona de agotamiento que hace que los electrones se desplacen del terminal colector al terminal emisor.

Posteriormente, en el transistor NPN, la utilización de un impulso optimista en la base provoca un presente que está en el curso del colector al emisor. Mientras que el presente es instantáneamente proporcional al presente inferior.

La imagen del transistor NPN también se utiliza para establecer el curso del presente. La pequeña punta de flecha que se aleja del emisor muestra el curso actual que sale del emisor.

Como la gran mayoría de los portadores de coste dentro del colector y el emisor son electrones y son responsables del movimiento del presente. Posteriormente, el servicio de coste más importante dentro del transistor NPN son los electrones, mientras que el servicio minoritario son los huecos.

El transistor NPN se enciende haciendo uso de una tensión optimista en el terminal de la base, mientras que se apaga haciendo uso de una tensión baja de 0v en el terminal de la base.

Como la mayoría de los portadores de coste son electrones y son rápidos, el tiempo de restauración del transistor NPN es rápido. El resultado es que el NPN tiene un tiempo de cambio a ON y a OFF realmente pequeño, por lo que proporciona una velocidad de cambio realmente excesiva.

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Transistor PNP

O Transistor PNP se forma mezclando dos capas de tipo P y una de tipo N. La delgada capa N se intercala entre dos gruesas capas P. La capa central N se conoce como base, mientras que las dos capas opuestas se conocen como colectores y emisores.

El Colector y el emisor tienen agujeros como portadores de coste mayoritario, mientras que la Base tiene electrones como servicio de coste mayoritario. Los portadores de coste minoritario dentro del Colector y del emisor son electrones, mientras que dentro de la Base hay huecos.

Utilizar una tensión adversa al fondo respecto al emisor empujará los agujeros en la zona del fondo. Como el fondo tiene electrones como portadores mayoritarios, los huecos se mezclarán con los electrones y los harán penetrar en la zona de agotamiento. En consecuencia, el regalo del emisor comenzará a moverse hacia el colector. Este presente es el resultado de la presencia de agujeros de servicio de coste mayoritario.

El transistor PNP se enciende cuando se utiliza una tensión adversa a la zona inferior y se apaga cuando se utiliza una tensión optimista. Como la mayoría de los portadores de coste son huecos, el tiempo de restauración del transistor PNP es relativamente excesivo. Por lo tanto, el transistor PNP tiene una baja tasa de conmutación.

La imagen del transistor PNP es totalmente diferente a la del NPN. Presenta una punta de flecha que apunta hacia dentro, mostrando el curso del flujo presente en el emisor hacia el terminal del colector.

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Distinción clave entre transistor NPN y PNP

La siguiente tabla de comparabilidad muestra algunas de las principales variaciones entre un transistor PNP y uno NPN.

Transistor NPN	Transistor PNP
Se fabrica con una mezcla de dos capas N y una capa P.	Se compone de dos capas P y una capa N.
Se forma intercalando una capa P entre las capas N.	Se forma intercalando la capa N entre las capas P.
El emisor y el colector están conectados a las regiones N.	El emisor y el colector están conectados a las regiones P.
El terminal inferior se conecta a la región P.	El terminal inferior se conecta a la región N.
Los portadores de mayor coste son los electrones.	Los transportistas de mayor coste son los agujeros.
Los transportistas de costes minoritarios son agujeros.	Los portadores de coste minoritario son los electrones.
La conducción comienza en cuanto los electrones entran en la zona inferior.	La conducción comienza en cuanto los agujeros entran en la zona inferior.
Se enciende aprovechando una tensión de base optimista.	Se conecta haciendo uso de una baja tensión de base.
Se apaga con una tensión de base baja.	Se apaga utilizando una tensión de base optimista
El regalo fluye desde el colector en dirección al emisor.	El regalo pasa del emisor al recaudador.
El regalo de fondo va al fondo a través del emisor.	El regalo del fondo va del emisor al fondo.
En la imagen del NPN, la flecha del emisor apunta hacia fuera.	Dentro de la imagen PNP, la flecha del emisor apunta hacia dentro.
Tiene un tiempo de conmutación pequeño, por lo que tiene una tasa de conmutación excesiva.	Tiene un tiempo de cambio excesivo, por lo que tiene una tasa de cambio baja.

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Propiedades y características de PNP y NPN Transistores

Las siguientes propiedades totalmente diferentes diferencian a cada uno de los transistores PNP y NPN, teniendo características y funciones totalmente diferentes.

Desarrollo

El transistor NPN se fabrica intercalando la capa P entre dos capas N.

El transistor PNP se fabrica intercalando una capa N entre dos capas P.

Imagen

La imagen del NPN se indica con una punta de flecha en el emisor que apunta hacia fuera. Mientras que en el transistor PNP la punta de la flecha apunta hacia dentro.

Movimiento actual

En el transistor NPN, el curso del movimiento del presente es desde el colector hacia el emisor, mientras que en el transistor PNP, el presente se dirige desde el emisor hacia el colector. El curso del presente puede ser indicado por su imagen.

Intercambio de

El transistor NPN se enciende cuando se utiliza una tensión de sobretensión optimista para el terminal inferior, mientras que el transistor PNP se enciende cuando se utiliza una tensión adversa o baja de 0v para el terminal inferior.

Cambio de ritmo

El transistor NPN se enciende y apaga instantáneamente. Por tanto, el transistor NPN tiene una mayor velocidad de conmutación que el transistor PNP.

Transportistas de coste mayoritario

El movimiento de la corriente en un transistor dependerá del servicio de coste de la masa. Por lo tanto, los portadores de coste masivo en NPN son electrones, mientras que en el transistor PNP son huecos.

Base actual

El fondo presente en un transistor NPN fluye hacia la zona de fondo, mientras que en un transistor PNP el fondo presente fluye fuera de la zona de fondo.

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