Diodo hacia atrás: desarrollo, funcionamiento, rasgos y funciones

¿Qué es un diodo de retroceso? Imagen, Terminales, Desarrollo, Trabajo, Trazos y Funciones VI

El diodo es, sin duda, uno de los elementos digitales basados en semiconductores más importantes que se utilizan en casi todos los equipos digitales. Hay varios tipos de diodos fabricados y utilizados para funciones concretas. Uno de estos diodos es el diodo de retrodispersión. Se utiliza para funcionar en polarización inversa y funciona en túneles cuánticos como en los diodos de efecto túnel, lo que le permite tener una velocidad de conmutación realmente excesiva.

¿Qué es el diodo de retrodispersión?

Un diodo inverso o a menudo conocido como diodo de novo es un tipo de diodo de unión PN que está diseñado para funcionar en polarización inversa. Lo mismo ocurre con el diodo Zener y el diodo túnel. En realidad, se trata de un tipo modificado de diodo Zener y de diodo túnel con características mixtas de cada diodo, es decir, el funcionamiento de polarización inversa del diodo Zener y la resistencia destructiva o impacto de túnel del diodo túnel.

Sin embargo, el impacto de la tunelización disminuye, y el área de resistencia destructiva desaparece. Sin embargo, puede conducir en cada instrucción, pero tiene una impedancia decreciente en polarización inversa, como en comparación con la polarización directa. Tiene una tensión de trabajo baja, que varía.

No se obtiene a menudo y no se utiliza ampliamente. Sin embargo, debido a su excesiva velocidad de conmutación, se utiliza en funciones de alta frecuencia similares a los mezcladores y multiplicadores de RF. Puede rectificar las alertas de baja tensión.

Imagen del Diodo de Lavado

La imagen del diodo de retroceso se parece a la de un diodo de unión PN estándar. Apenas se ha modificado el aspecto catódico, mientras que el aspecto anódico sigue siendo idéntico. La barra en el aspecto catódico se modifica como se demuestra en el determinado bajo.

En un diodo de retroceso, el ánodo es de tipo P y el cátodo de tipo N, como en un diodo de unión PN estándar. Sin embargo, el presente circula del cátodo al ánodo dentro de la trayectoria inversa del diodo de unión PN. La figura anterior muestra además los terminales P y N del diodo BD4 Again (un tipo de diodo túnel de germanio).

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Desarrollo

Tiene una construcción idéntica a la de un diodo túnel, aparte de que el foco de dopaje se almacena un poco más ligero. Ayuda a alinear la banda de conducción y la banda de valencia para que pueda conducir como un diodo PN estándar en la polarización frontal. Por lo tanto, no hay túnel cuántico ni túnel presente en el sesgo hacia delante. Sin embargo, los grandes túneles presentes pueden circular en polarización inversa.

Como el tunelaje cuántico sólo se produce en polarización inversa, tiene menor impedancia y mayor conducción en polarización inversa. Posteriormente, se denomina diodo polarizado hacia atrás.

En el trabajo

El diodo posterior funciona según el precepto del túnel cuántico. Su funcionamiento es idéntico al de un diodo de efecto túnel, salvo que el efecto túnel se produce en polarización inversa. En polarización directa, funciona como un diodo de unión PN estándar. Tiene una mayor conducción presente en polarización inversa que en polarización directa. Su funcionamiento se definirá mediante un diagrama de banda de potencia en numerosas polarizaciones.

Sin prejuicios

En la situación sin polarización, el diodo tampoco está conectado a ninguna fuente de alimentación. La banda de conducción se encuentra en un grado de potencia mejor que la banda de valencia. El electrón reside inicialmente en la banda de valencia. Cuando adquieren suficiente energía, suben a la banda de conducción dejando zonas vacías conocidas como agujeros.

Condición de imparcialidad

En circunstancias imparciales, no hay conducción de corriente, ya que cada banda de conducción y de valencia están bastante alejadas entre sí. Para que se produzca el túnel cuántico, la banda de conducción y la de valencia del tipo N y del tipo P deben estar en el mismo grado, como se ha mencionado en el sesgo inverso.

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Sesgo frontal

En polarización hacia delante, el ánodo está conectado a un potencial mejor que el cátodo del diodo de nuevo. Su funcionamiento es idéntico al de un diodo de unión PN estándar. No conduce hasta que la tensión utilizada supera una restricción de seguridad.

Condición de polarización hacia adelante

El tipo N tiene casi todos los electrones y el tipo P tiene casi todos los huecos. Debido al potencial utilizado, los electrones alcanzan la potencia y residen en la banda de conducción de la capa de tipo N, mientras que los huecos se encuentran en la banda de valencia de la capa de tipo P. Dado que la polarización hacia delante funciona como un diodo estándar y el presente circula debido a la mayoría de portadores, los electrones circulan de la capa de tipo N a la de tipo P, mientras que los huecos se transfieren del tipo P al tipo N de forma errónea, lo que provoca la conducción del presente.

En respuesta al diagrama de banda de potencia, el hueco entre la banda de conducción y la banda de valencia de la capa correspondiente disminuye y las propiedades beneficiosas de los electrones son lo suficientemente potentes como para atravesar el hueco de la banda.

Sesgo inverso

En polarización inversa, el ánodo está conectado a una tensión decreciente con respecto al cátodo del diodo inverso. A menudo se utiliza en este modo el lugar donde se produce el túnel cuántico.

Condición de polarización inversa

En respuesta a la banda de potencia determina, debido al software de tensión inversa, el hueco entre la banda de conducción y la banda de valencia de cada capa aumentará. Sin embargo, como resultado de un aumento del agujero de banda y un enfoque de dopaje excesivo, la banda de conducción del semiconductor de tipo N y la banda de valencia del semiconductor de tipo p caen en el grado de potencia similar. Posteriormente, los electrones pueden pasar simplemente a través de la unión, lo que se denomina tunelización cuántica. Estos electrones en túnel dan lugar al presente túnel.

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VI Trazos de diodos hacia atrás

El atributo V-I revela la conexión entre el voltaje y el regalo del aparato. El eje x representa la tensión que lo atraviesa, mientras que el eje y representa el presente por él. Aquí tienes la curva de atributos VI de un diodo retroactivo.

VI Características del diodo de retrodispersión

En la polarización hacia delante, funciona como un diodo de unión PN estándar. Tiene una zona de resistencia destructiva muy pequeña, casi insignificante. Inicialmente su presente aumentará con la tensión en la parte delantera tanto como un pequeño diploma. Además, el presente circula y se mantiene fijo hasta que la tensión alcanza el borde restringido. En polarización inversa, el diodo actúa como un diodo Zener con una tensión de ruptura realmente baja debido al túnel cuántico.

Ventajas y desventajas de los diodos de desventaja

Beneficios

Aquí se enumeran algunas ventajas del diodo retroactivo

Baja capacitancia de unión: Debido a su excesivo enfoque de dopaje, tiene una baja capacitancia de unión, lo que le confiere un corto tiempo de restauración.

Pico de intercambio excesivodebido a su baja capacitancia de unión, tiene una velocidad de conmutación excesiva por muy baja que sea la tensión de trabajo. En consecuencia, es mejor para las funciones de RF de baja tensión.

La temperatura: La temperatura tiene un impacto reducido en sus propiedades eléctricas en comparación con el diodo PN estándar. Tiene una sensibilidad a la temperatura decreciente en comparación con el diodo PN. Por lo tanto, la variación de la temperatura no tiene un impacto importante en ella.

El ruido: El diodo retardado tiene una SNR (señal/ruido) excesiva en comparación con el diodo PN. Generan un ruido muy bajo.

Tensión de trabajo baja: El diodo trasero funciona a muy baja tensión. No requiere una tensión excesiva como un diodo PN normal para iniciar la conducción, que ronda los 0,7 voltios.

La eficacia: Tiene mayor eficacia que el diodo PN estándar para las funciones de baja tensión.

Desventajas

A continuación se enumeran algunas desventajas del Diodo retardado

Presencia de un túnel bajo El diodo regresivo tiene un impacto de tunelización disminuido, ya que comparado con un diodo de tunelización, tiene posteriormente un bajo presente de tunelización.

Baja tensión: Tiene un área de agotamiento muy pequeña y una capacidad de unión muy baja. Por lo tanto, no puede enfrentarse a tensiones excesivas. Puede dañar completamente el aparato. Sólo es apropiado para tensiones inferiores a 0,6v.

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Funciones de los diodos de nuevo

Se utiliza principalmente por su excesiva velocidad de conmutación. Aquí se enumeran algunas funciones del diodo de nuevo

Detector de RF Se utiliza para la detección de RF (radiofrecuencia) en el rango de cincuenta GHz. Debido al excesivo enfoque de dopaje, tiene un área de agotamiento realmente pequeña que tiene una capacitancia muy baja. Esta baja capacitancia permite al minorista un coste mucho menor y un cambio más rápido. Además, revela trazos lineales para las alertas pequeñas.

Cambia: Debido a la excesiva velocidad de conmutación del diodo de nuevo, se utiliza como conmutador en frecuencias de microondas de bajo voltaje, similar al mezclador o multiplicador de RF.

Rectificador: Normalmente se utiliza como rectificador de baja tensión, con una tensión de pico inferior a 0,6 voltios.

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