La principal diferencia entre el transistor de unión bipolar y el transistor de efecto de campo (FET) es que BJT es un dispositivo de corriente, mientras que FET es un dispositivo de voltaje.
La corriente a través del circuito colector-emisor de un BJT está controlada por la cantidad de corriente en el circuito de velocidad base. Un FET controla la corriente en el circuito fuente-drenador según la magnitud del potencial aplicado a la puerta.
Tipos de transistores de efecto de campo (FET)
Hay dos tipos de FET, el transistor de efecto de campo de unión (JFET) y el transistor de efecto de campo de semiconductor de óxido de metal (MOSFET). Primero, veamos el JFET.
construcción JFET
La construcción y los símbolos del JFET se muestran i Figura 1. Las tres partes principales de un JFET son fuente, drenaje y puerta. Estas tres partes son similares a las tres partes principales de un transistor bipolar típico.
La fuente se compara con el emisor. El drenaje se compara con el colector. La puerta se compara con la base. La rejilla se difunde en el material del canal. El canal es un camino desde la fuente hasta el drenaje. El canal a través del centro del dispositivo puede ser de material tipo P o N.
Figura 1. Construcción física de JFET típicos y sus símbolos esquemáticos.
La corriente a través del dispositivo está controlada por el potencial de la puerta. Mira Figura 2. Si se aplica un pequeño potencial a la puerta, habrá una gran corriente a través del canal P.
Si se aplica un gran potencial a la puerta, habrá una pequeña corriente en el canal entre la fuente y el drenaje. Observe cómo el potencial aplicado a la puerta invierte el flujo de energía eléctrica.
Figura 2. La cantidad de voltaje aplicado a la puerta determinará el valor de la corriente desde la fuente hasta el drenaje.
Estructura MOSFET
Otro tipo de FET es el MOSFET. Es ampliamente utilizado en circuitos digitales y circuitos de memoria de computadora. Para mirar imagen 3.
El MOSFET es similar en construcción al JFET. La diferencia es que el MOSFET tiene una película aislante muy delgada (dióxido de silicio) entre la puerta y el área del canal.
Advertencia
La capa aislante es tan delgada que puede dañarse fácilmente con la electricidad estática. Se debe tener cuidado al manipular transistores y dispositivos MOSFET.
Imagen 3. El MOSFET es similar en construcción al JFET.
La fina capa aislante de alta resistencia evita el flujo de electrones entre la puerta y el material del canal.
La alta resistencia entre la puerta y el área del canal lo convierte en un dispositivo de entrada de muy alta impedancia. Un dispositivo de entrada de alta impedancia es muy deseable en circuitos como amplificadores.
Además, el canal del mismo material desde la fuente hasta el drenaje proporciona un camino de muy baja impedancia. Una ruta de baja impedancia o baja resistencia a través del canal también es muy deseable para dispositivos tales como amplificadores.
Hay dos tipos principales MOSFET, metodo de mejora y método de agotamiento.
En un MOSFET de modo de agotamiento, la corriente a través del circuito fuente-drenador se reduce por el voltaje de la puerta.
En un MOSFET mejorado, la corriente a través del circuito fuente-drenador es impulsada por el voltaje de la puerta.
Mire de cerca los cuatro símbolos utilizados para el MOSFET, Figura 3. Los símbolos difieren para los materiales de canal de tipo N y tipo P y para los MOSFET de modo de mejora y agotamiento.
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