Diferencia entre semiconductor tipo P y semiconductor tipo N
Sabemos que los semiconductores de tipo p y de tipo n entran dentro de los semiconductores extrínsecos. La clasificación del semiconductor puede hacerse en función del dopaje como intrínseco y extrínseco según la cuestión de la pureza que se trate. Hay muchos factores que generan la principal diferencia entre estos dos semiconductores. La formación de un material semiconductor de tipo p puede hacerse añadiendo los elementos del grupo III. Del mismo modo, el material semiconductor de tipo n puede formarse añadiendo elementos del grupo V. Este artículo analiza la diferencia entre el semiconductor tipo P y el semiconductor tipo N.
¿Qué es un semiconductor tipo P y un semiconductor tipo N?
A continuación se exponen las definiciones de tipo p y tipo n y sus diferencias.
El semiconductor de tipo P puede definirse como, una vez que se añaden átomos de impurezas trivalentes, como el indio, el galio, a un semiconductor intrínseco, y entonces se conoce como semiconductor de tipo p. En este semiconductor, los portadores de carga mayoritarios son los huecos, mientras que los portadores de carga minoritarios son los electrones. La densidad de huecos es mayor que la de electrones. El nivel de aceptación se encuentra principalmente cerca de la banda de valencia.
El semiconductor de tipo N puede definirse como, una vez que se añaden átomos de impurezas pentavalentes, como el Sb, el As, a un semiconductor intrínseco, y entonces se conoce como semiconductor de tipo n. En este semiconductor, los portadores de carga mayoritarios son los electrones, mientras que los portadores de carga minoritarios son los huecos. La densidad de los electrones es mayor que la de los huecos. El nivel donante se encuentra principalmente cerca de la banda de conducción.
Diferencia entre semiconductor tipo P y semiconductor tipo N
La diferencia entre un semiconductor de tipo p y un semiconductor de tipo n incluye principalmente diferentes factores, como los portadores de carga mayoritarios y minoritarios, el elemento de dopaje, la naturaleza del elemento de dopaje, la densidad de los portadores de carga, el nivel de Fermi, el nivel de energía, el movimiento de dirección de los portadores de carga mayoritarios, etc. La diferencia entre estos dos factores se recoge en la siguiente tabla.
| Semiconductor tipo P |
Semiconductor de tipo N |
| El semiconductor tipo P puede formarse añadiendo impurezas trivalentes | El semiconductor de tipo N puede formarse añadiendo impurezas pentavalentes |
| Una vez que se añade la impureza, se crean huecos o vacantes de electrones. Por tanto, esto se denomina átomo aceptor. | Una vez que se añade la impureza, da electrones adicionales. Así que esto se llama átomo donante. |
| Los elementos del grupo III son Ga, Al, In, etc | Los elementos del grupo V son As, P, Bi, Sb, etc. |
| Los portadores de carga mayoritarios son los huecos y los portadores de carga minoritarios son los electrones | Los portadores de carga mayoritarios son electrones y los portadores de carga minoritarios son huecos |
| El nivel de Fermi del semiconductor de tipo p se encuentra principalmente entre el nivel de energía del aceptor y la banda de valencia. | El nivel de Fermi de los semiconductores de tipo n se encuentra principalmente entre el nivel de energía del donante y la banda de conducción. |
| La densidad del hueco es muy alta que la del electrón (nh >> ne) | La densidad del electrón es muy alta que la densidad del agujero (ne >> nh) |
| La concentración de portadores de carga mayoritarios es más | La concentración de portadores de carga mayoritarios es más |
| En el tipo p, el nivel de energía del aceptor está cerca de la banda de valencia y ausente de la banda de conducción. | En el tipo n, el nivel de energía del donante está cerca de la banda de conducción y ausente de la banda de valencia. |
| El movimiento del portador de carga mayoritario será de un potencial alto a uno bajo. | El movimiento del portador de carga mayoritario será de potencial bajo a potencial alto. |
| Cuando la concentración de huecos es alta, este semiconductor lleva la carga +Ve. | Este semiconductor lleva preferentemente una carga -Ve. |
| La formación de huecos en este semiconductor se denomina aceptores | La formación de electrones en este semiconductor se denomina aceptores |
| La conductividad del tipo p se debe a la presencia de portadores de carga mayoritarios como los huecos | La conductividad del tipo n se debe a la presencia de portadores de carga mayoritarios como los electrones. |
Preguntas frecuentes
1). ¿Cuáles son los elementos trivalentes utilizados en el tipo p?
Son Ga, Al, etc.
2). ¿Qué elementos pentavalentes se utilizan en el tipo n?
Son As, P, Bi, Sb
3). ¿Cuál es la densidad de agujeros en el tipo p?
La densidad de agujeros es mayor que la de electrones (nh>>ne)
4). ¿Cuál es la densidad de electrones en el tipo n?
La densidad de electrones es mayor que la de agujeros (ne>>nh)
5). ¿Cuáles son los tipos de semiconductores?
Son semiconductores intrínsecos y extrínsecos
6). ¿Cuáles son los tipos de semiconductores extrínsecos?
Son semiconductores de tipo p y semiconductores de tipo n.
Por lo tanto, todo esto se refiere a la principal diferencia entre un semiconductor de tipo p y uno de tipo n semiconductor. En el tipo n, los portadores de carga mayoritarios tienen una carga negativa, por lo que se denomina tipo n. Del mismo modo, en el tipo p, el resultado de una carga +ve puede formarse en ausencia de electrones, por lo que se denomina tipo p. La diferencia material entre el dopaje de estos dos semiconductores es la dirección del flujo de electrones a lo largo de las capas semiconductoras depositadas. Ambos semiconductores son buenos conductores de la electricidad. Aquí tienes una pregunta, ¿cuál es el movimiento de los portadores de carga mayoritarios en el tipo p y en el tipo n?
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